高频管

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	MRF377H MRF151G MRF377H MRF151G	MRF377H FREESCALE
	MRF173 MRF173	MACOM MRF173 28V Mosfet Transistor 80WData sheet: MACOM MRF173 28V Mosfet Transistor 80W
	MRF151G MRF151G	MACOM MRF151G 300W VHF Mosfet Transistor new /in sotck /ship dayData sheet: MACOM MRF151G 300W VHF Mosfet Transistor
	BLF369 BLF369	blf369 订货4周BLF369 500W Ultra high power MosfetRugged LDMOS Device Drives 500 W At 500 MHz This efficient LDMOS device provides high output power and generous gain for HF/VHF broadcast and UHF radar applications while occupying a compact footprint.Designers seeking to generate high output power in broadcast and radar systems are nonetheless hoping to do so in the smallest device/circuit footprint possible. For HF/VHF broadcast and UHF radar markets, the new BLF369 LDMOS transistor from Philip
	MRF377H MRF377H	Part Number: mrf377h Condition: New / original 全新原装 Quantity: 500 数量：500PCS Date Code: 06+ 批号：06+ MFG: free 品牌：飞思卡尔Lead Time: in stock – ship today! 现货，当天可以发货！
	RF三极管 BLF177 BLF278 BLF177 BLF278	深圳市高巨电子有限公司长期供应BLF177 BLF278 BLF861A BLF245。。NXP半导体RF功率管全线系列：
	高频三极管 BFG591	1.RF 宽带三极管：BFG系列（BFG425W、BFG520/XR、ON4973、ON4832、ON5030、BFG591、BFQ591、BFG540、BFG540/XR、BFG540W/XR、BFG67/X、BFG97、BFG*）BFR系列（BFR91A 、BFR92A、BFR93A、BFR96TS、BFR）BFS系列（BFS17、BFS25A、BFS520、BFS540、BFS）PBR系列（PBR951、PBR941、PMBTH10、PBR957、PMBT3906、PMBT3904*）
	高巨电子推出 BLF871 BLF878 配套方案高巨电子推出BLF871 BLF878配套方案	高巨电子推出 BLF871 BLF878 配套方案详情请与我们联系 0755 -83637805 catv_guo@ 126.COM
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	高巨电子推出配套方案 BLF881+BLF888 DVB-T BLF881+BLF888 DVB-T ...	高巨电子推出配套方案 BLF881+BLF888 DVB-T ... 高巨电子推出配套方案 BLF881+BLF888 DVB-T ... 详细资料和开发技术方案请与我们联系! 0755-83637805 catv_guo @126.com
	BLF578 BLF578	BLF578 A 1200 W LDMOS power transistor for broadcast applications and industrial applications in the HF to 500 MHz band.
	BLF888 BLF888	BLF888 供应广播发射机,CMMB直放站功率管MRF6VP3450H 　　供应广播发射机,CMMB直放站功率管 BLF278 BLF369 BLF872 BLF861A BLF175 BLF177 BLF244 BLF245 BLF878 BLF871 BLF147 BLF346 BLF247 BLF888
	RF power transistor BLF7G22_130 BLF7G22_130	BLF7G22_130
	BLF578 BLF574 BLF578 BLF574	A 1200 W LDMOS power transistor for broadcast applications and industrial applications in the HF BLF578 - Power LDMOS transistorto 500 MHz band. CAUTIONThis device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Therefore care should be taken during transport and handling
	Global Positioning System (GPS) GPS原理和器件高巨电子郭荣生 BGA2003 BGU7003 BGU7003	LNA RF bipolar transistorMMIC Wideband transistorLow noise wideband amplifierSiGe:C MMIC SOT343 BFG425W SOT343 BFG410WSOT343R BGA2001SOT343R BGA2003SOT891 BGU7003SOT886 BGU7005 RF transistor SiGe:Ctransistor SOT343F BFU725F
	Global Positioning System (GPS) GPS原理和器件 BGA2003 BGU7003 BGU7003	LNA RF bipolar transistor MMIC Wideband transistorLow noise wideband amplifierSiGe:C MMIC SOT343 BFG425W SOT343 BFG410WSOT343R BGA2001 SOT343R BGA2003SOT891 BGU7003SOT886 BGU7005 RF transistor SiGe:Ctransistor SOT343F BFU725F
	供应中九高频头/KU高频头本振磁芯（10 .75g 9g 8g 5g）供应中九高频头/KU高频头本振磁芯（10 .75g 9g 8g 5g	供应中九高频头/KU高频头本振磁芯（10 .75g 9g 8g 5g）技术支持！大量现货，详情请咨询高巨电子 0755 83637805
	BLF878 BLF888 BLF878 BLF888	A 500 W LDMOS RF power transistor for broadcast transmitter applications and industrial applications. The transistor is optimized for digital applications and can deliver 110 W average DVB-T broadband over the full UHF band from 470 MHz to 860 MHz. Theexcellent ruggedness of this device makes it ideal for digital transmitter applications.
	BLF574 高巨电子供应-郭荣生 BLF574	BLF574 SOT539A LDMOSTA 500 W to 600 W LDMOS power transistor for broadcast applications and industrial applications in the HF to 500 MHz band. Typical CW performance at frequency of 225 MHz, a supply voltage of 50 V and an IDq of 1000 mA: Average output power = 500 W Power gain = 26.5 dBEfficiency = 70 pctEasy power controlIntegrated ESD protectionExcellent ruggednessHigh efficiencyExcellent thermal stabilityDesigned for broadband operation (10 MHz to 500 MHz)Compliant to Directive 2002/95/E
	mrf6vp3450h mrf6vp3450h	mrf6vp3450h飞思卡尔半导体推出50伏横向扩散MOS（LDMOS）RF功率晶体管，输出功率比与之竞争性UHF TV 广播解决方案高50%。 MRF6VP3450H器件展示出业界领先的RF品质参数，是同类UHF应用中最高输出功率的，同时它还能够降低系统级功率，为广播公司节省上万美元的运营成本。MRF6VP3450H在P1dB上提供超过450 瓦的峰值功率，使整个UHF广播频段的功率效率提高50%。　　作为飞思卡尔的阵容日益壮大的RF功率LDMOS晶体管系列（用于广播应用）的最新成员，MRF6VP3450H旨在让TV发射器采用模拟和数字两种调制格式。TV发射器极大地节省了TV广播公司的运营成本。RF功率放大器消耗的功率占到运营成本的绝大部分。高效的RF功率晶体管（如MRF6VP3450H）通过把大部分所需的AC输入功率转换成RF输出功率，可以帮助降低运营成本。最终，这种效率减少发射器所需的能源使用。此外，具有较高RF功率功能的个别晶体管还能够通过最大限度地减少器件数量和综合性损耗，提高系统级效率。　　MRF6VP3450H器件可以为运行频率为470~860 MHz 的T